Sustrato de cristal A-Z

MTI

InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo P, dopado con Ge, pulido por las dos caras

MTI

InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo P, dopado con Ge, 1 cara pulida

MTI

InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo N, dopado con Te, 1 cara pulida

MTI

InSb (100) 10x10x 0,3 mm, tipo N, dopado con Te, 1 cara pulida

MTI

InP-VGF- (100) S dopado, oblea 10x10x0,5mm, 2sp - IPSa101005S2US

MTI

InP-VGF cultivado (111)B no dopado, oblea de 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

InP-VGF crecido (111)B dopado con Fe, oblea de 2 "x0,35 mm, 1sp, semiaislante

MTI

InP-VGF cultivado (111)A sin dopar, oblea de 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

InP-VGF cultivado (111)A dopado con Fe, oblea de 2 "x0,35 mm, 2sp, semiaislante

MTI

InP-VGF cultivado (111)A dopado con Fe, oblea de 2 "x0,35 mm, 1sp, semiaislante - IPFecA50D035C1US

MTI

InP-(VGF- Grown) (111)B S dopado, 2 "x0.35mm wafer, 1sp

MTI

InP-(VGF- Grown) (111)A Zn- dopado, tipo P, 2 "x 0.35mm wafer, 1sp - IPZncA50D035C1US

MTI

InP-(VGF- Grown) (100) dopado con Sn, oblea de 2 "x0,35mm, 1sp

MTI

InP-(VGF- Grown) (100) S dopado, 2 "x0.5mm wafer, 1sp

MTI

InP, Método de crecimiento: VGF(100) dopado con Zn,3 " x 0,625mm, oblea, 1sp

MTI

InP - (VGF-Grown), (111)A, S dopado, 2" x 0.5mm wafer, 1sp - IPScA50D05C1US

MTI

InAs, (100), dopado con Sn, tipo N, 10m-10m x10mm x 0,5mm 1sp - IASna101005S1

MTI

InAs (511), S dopado oblea en forma de elipse (área >30mm dia) 1sp - IAS511ellipes

MTI

InAs (411), S dopado oblea en forma de elipse (área >30mm dia) 1sp - IAS411ellipes

MTI

InAs (111)A, no dopado, tipo N, 5mm x5mm x 0,45mm 1sp