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FCS

Gadolinium Doped Ceria (10% Gd) - Premium Powder

FCS

Gadolinium Doped Ceria (10% Gd) - Tape Cast Grade Powder

FCS

Ceria drogata con gadolinio (20% Gd) - Polvere di grado medio

FCS

Gadolinium Doped Ceria (20% Gd) - Nanopowder

FCS

Ceria drogata con gadolinio (20% Gd) - polvere di grado Tape Cast

MTI

Polvere di elettrolita per SOFC drogata con gadolinio (CGO), confezione da 500 g - EQ-SOFC-CGO

MTI

GaN (0001) 10x10,5x0,35 mm, 1sp, semi-isolante

MTI

GaN (0001) 10x10,5x0,35 mm, 2sp, semi-isolante

MTI

GaN, tipo N, drogato con Si (0001) 10x10,5x0,35 mm, 2sp

MTI

GaN, tipo N, drogato con Si (0001) 10x10,5x0,35 mm, 1sp - faccia Ga lucidata

MTI

GaN - Substrato a cristallo singolo (0001), 50,8 mm x 0,25 mm, tipo N+, 2SP

MTI

GaN - Substrato a cristallo singolo (0001), 50,8 mm x 0,25 mm, tipo N+, 1SP

MTI

GaN -Substrato a cristallo singolo (0001), tipo N, 10x10,5x0,27 mm , 1SP

MTI

GaN - Substrato a cristallo singolo (0001), tipo N, 10x10x0,475 mm, 1SP - GaNC10100475S1NSUS5

MTI

GaN - Substrato a cristallo singolo (0001), semi-isolante, 10x10x0,475 mm, 1SP, grado di produzione - GaNC10100475S1SemiBUS5

MTI

GaN - Substrato a cristallo singolo, tipo N, (0001), 10x10,5x0,3 mm, 2SP

MTI

GaN - Substrato a cristallo singolo, tipo N, (0001), 10x10,5x0,35 mm, 1SP

MTI

Substrato a cristallo singolo GaN, tipo N, (10-10), 5 x10 x 0,3 mm, 1SP

MTI

Template GaN (200nm) su wafer di silicio, GaN (tipo N, non drogato), Si(111) tipo N drogato P, 10x10x0,279mm, 1sp R:1-10 ohm.cm

MTI

Template GaN su wafer di silicio da 2", film GaN (500 nm), tipo N, non drogato su substrati di Si (111), 2 "x 0,279 mm, 1sp