MTI

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Oblea de GaSb (100), no dopada, 5x5x0,5 mm, 1sp

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Oblea de GaSb (111)-B, no dopada, tipo P 2 "x0,5 mm ,2sp

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GaSb, (100), dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.45mm, 1sp,Concentración portadora:(1-3)x10^17 cm^-3

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GaSb, (100), dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.45mm, 1sp,Concentración portadora: (5.8)x10^18 cm^-3

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Nanopolvo de Gd2O3 (99,9%, 20-80 nm) ( 25 g ) - NPGd2O3

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GdScO3 (001)10x10x0,5mm 1sp - GSOb101005S1US

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GdScO3 (110) 10x10x0,5mm 1sp

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GdScO3 (110) 10x10x0,5mm 2sp

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GdScO3 (110) 5x5x0,5mm 1sp - GSOe050505S1US

MTI

GdScO3 (110) 5x5x0,5mm 2sp

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Ge (111), plano-(1-10), tipo N, dopado con Sb, 10x10x0,5mm, 1sp, R:0,005-0,01 ohm.cm

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Ge tipo N SB-dopado (111) 5x5x0,5mm 1sp, R: 0,005-0,01 ohm.cm

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Ge monocristal para evaporación, pureza >99,999%, 5x5x5 mm tal cual tallado - Ge050550SN

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Sustrato monocristalino de Ge (100)tipo N ,no dopado ,1 "x1 "x0,5mm,2sp, R>50 ohm.cm

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Sustrato monocristalino de Ge (100)tipo N ,no dopado ,10x10x0,5mm,2sp, R>40 ohm.cm

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Sustrato monocristalino de Ge (100)tipo N ,no dopado ,10x10x0,5mm,2sp, R>50 ohm.cm

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Ge Sustrato monocristalino, tipo N Sin dopar (100)ori. 10x10x0.4mm 1sp,R>50 ohm.cm

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Ge Sustrato monocristalino ,tipo N No dopado (100)ori. 10x10x0.5mm 1sp,R>50 ohm.cm - GEUa101005S1R50

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Ge Sustrato monocristalino, tipo N Orificio (111) no dopado. 5x5x0.5mm 2sp,R>50 ohm.cm

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Ge Sustrato monocristalino, tipo N dopado con Sb (100) 10x10x0,45mm 1sp, R<0,009ohm.cm