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Substrato in silice fusa, 2" x 0,5 mm, 1sp - SOF50D05C1

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Substrato in silice fusa, 2" x 0,5 mm, 2sp - SOF50D05C2

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Substrato in silice fusa, 0,5 "x0,5 "x0,5 mm, 2 lati lucidati - SOF121205S2

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Substrato di silice fusa, 10x10x0,5 mm, 1 lato lucido - SOF101005s1

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Substrato in silice fusa, 10x10x0,5 mm, lucidato su 2 lati - SOF101005S2

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Substrato in silice fusa, 10x10x1,0 mm, 1 lato lucido - SOF101010s1

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Substrato di silice fusa, 10x10x1,0 mm, due lati lucidati

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Wafer in silice fusa, 4" x 0,5 mm, 1 lato lucido

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Wafer in silice fusa, 4" x 0,5 mm, 2 lati lucidati

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Wafer in silice fusa, 4" x 1,0 mm, 1 lato lucido - SOF101D10C1

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FZ Wafer Si (100), diametro 2" x 0,3 mm, 1SP, tipo P, drogato B R>1000 ohm-cm

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FZ Wafer Si (111), diametro 2" x 0,275 mm, 1SP, tipo P, drogato B R>1000 ohm-cm

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Ga2O3 - Beta, substrato a cristallo singolo, <-201> ori, 10x10x0,6mm, 1SP - GaO101006C1ori201US5

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Ga2O3-- Polvere > 4N Purezza, 100 g - Polvere-Ga2O3

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <-201> ori, 5x5x0,6mm, 1SP

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <010>+/-1 grado ori, 10x10x0,35mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-beta, <010>+/-1 grado ori, 5 x 5 x 0,35 mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <100>+/-1 grado tipo N, drogato con Fe 10x10x0,5mm, 1SP

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <100>+/-1 grado di tipo N, drogato con Sn 10x10x0,5mm, 1SP

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Ga:ZnO (0001) tipo N+, drogato con Ga, 10x10x0,5 mm, faccia Zn 1sp lucidata