ALD/CVD/PVD

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Horno de pirólisis por pulverización ultrasónica 1.7MHz 1200C Máx. para síntesis de nanopartículas - OTF-1200X-PGEP

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Horno tubular de 2" para CVD asistido por plasma de microondas (MPCVD) a 1200°C - GSL-1200X-50-MWPE

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1200C Max. Horno tubular PECVD con 4 canales de suministro de gas y bomba de vacío - OTF-1200X-PEC4LV

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Horno tubular PECVD de dos zonas y 1200C máx. (50 mm de diámetro exterior) con precalentador y deslizamiento automático - OTF-1200X-II-50-PEMSL

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Horno de doble tubo deslizante 1200C con 2 tubos y bridas para PECVD - OTF1200XSDFPESL

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Horno rotativo PECVD 1100C con bomba de vacío - OTF-1200X-S-II-PECVD

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Horno rotativo 1100C PE-HPCVD con evaporador in situ, MFC de 4 canales y bomba de vacío - OTF-1200X-S-II-PEC4

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Generador de RF de 300 W y 13,56 MHz para horno tubular de 50, 80 ó 125 mm de diámetro exterior - OTF-PECVD-RF

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Horno CVD MIST 1200°C para crecimiento de cristales- OTF-1200X-Mist

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Sistema de horno tubular ALD 4" de dos canales hasta 1200C - ALD-1200X-4

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Sistema PECVD (tipo CCP) de lotes pequeños (12 unidades de oblea de 6") para pruebas piloto - PECVD-8-16

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Rotation Powder ALD 4" Sistema de horno tubular hasta 1200C - ALD-1200X-R-4

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Sistema rollo a rollo PE-CVD para crecimiento continuo de película sobre alambre o lámina - OTF-1200X-II-PE-RR

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Mini horno tubular CVD con mezclador de gas de 2 canales, bomba de vacío y vacuómetro - OTF-1200X-S50-2F

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Horno tubular HPCVD de 1200C y tres zonas de 5 "D con sistema de alimentación de fuente secuencial y de co-deposición de hasta 3 crisoles - OTF-1200X-III-HPCVD-S3

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Horno tubular de cristalización horizontal dirigida (HDC), 1100C máx. - OTF-1200X-50-DSL

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1650 Horno de vapor de oxidación-corrosión GSL-1700X-80CVD

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1600°C Max. Sistema MIST/LPCVD hasta 6" Wafer - MIST-1600-6

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1600°C Max. Horno MIST CVD para crecimiento continuo de nanotubos de carbono - GSL-1600X-CFM

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1200C Max. Horno de pirólisis por pulverización ultrasónica de 3 zonas para la síntesis de nanopartículas - OTF-1200X-III-PGEP