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Sustrato de Ge (111) 10x10x 0,5 mm, 2 SP, dopado con Sb, 0,005-0,01 Ohm.cm - GESbc101005S2R0005

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Sustrato de Ge (111) 5 x 5 x 0,5 mm, 1 SP, tipo P ,dopado con Ga ,R: 0,005-0,01 ohm.cm

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Sustrato de Ge (111) 5x5x0,5 mm, 2 SP, dopado con Sb . 0,005-0,01 Ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm , 1SP, tipo N dopado con Sb,R:0,1-0,5 Ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm , 1SP, tipo N dopado con Sb,R:10-15Ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm , 1SP, tipo N dopado con Sb,R>40 Ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm , 1SP, tipo P dopado con Ga,R:0,0007-0,005ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm , 1SP, tipo P dopado con Ga,R:1-5 ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100) 10x5 x 0,5 mm , 1SP, tipo P dopado con Ga,R:1-5 ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100) 10x5 x 0,5 mm , 2SP, tipo N dopado con Sb,R:0,01-0,05 Ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100) 5x5 x 0,5 mm , 1SP, tipo N dopado con Sb,R:0,1-0,5 Ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100) 5x5 x 0,5 mm , 1SP, tipo N dopado con Sb,R:10-15 Ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100) 5x5 x 0,5 mm , 1SP, tipo N dopado con Sb,R>40 Ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100) 5x5 x 0,5 mm , 1SP, tipo P dopado con Ga,R:0,0007-0,005 ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100) 5x5 x 0,5 mm , 1SP, tipo P dopado con Ga,R:1-5 ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100)+/- 2 grados, 10x10 x 0,5 mm , 2SP, tipo P dopado con Ga,R:10-15 ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100)+/- 2 grados, 10x3 x 0,5 mm , 2SP, tipo P dopado con Ga,R:10-15 ohm.cm

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Sustrato de Ge: (100)+/- 2 grados, 10x5 x 0,5 mm , 2SP, tipo P dopado con Ga,R:10-15 ohm.cm

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Ge Wafe, tipo N Sin dopar, 1" dia x 0,5 mm, 1SP (100) R: >50 Ohm.cm

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Ge Wafer (100) +/- 0,7 grados 2" dia x 0,5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), R:>40 ohm-cm