mti

MTI

Ge Wafer (100) +/- 1 grado, 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), resistividades: 0,1-0,5 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) +/- 2,5 Grados Sin dopar, 2" dia x 0,5 mm, 1SP, Resistividades: >50 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) +/-0,7 Grados 2" dia x 0,45 mm, 1SP, tipo N ( Sb dopado), R:>40 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.45 mm, 2SP, tipo N (Sb dopado), resistividades: 0,001-0,01 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado), resistividad:2.5-2.7ohm-cm - GESba50D05C1R2pt7BeUS

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 1SP, tipo P ( Ga dopado), resistividad: 0.0007-0.002 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), Resistividades: 0,01-0,1ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), Resistividades: 1-5 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N ( Sb dopado), resistividades: 10-20 ohm-cm - GEsba50D05C2R10US

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo P ( Ga dopado), resistividad: 0.0007-0.002 ohm-cm

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm, 2SP, tipo P (Ga dopado), resistividad: 0.001-0.01 ohm-cm - GEGaa50D05C2R0001US

MTI

Ge Wafer (100) 2" dia x 1.0 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado), resistividades: 0,02 ohm-cm - GEsba50D10c1R002US

MTI

Ge Wafer (100) Sin dopar, 2" dia x 0,5 mm, 1SP, resistividades: >50 ohm-cm - GEUa50D05C1R50US

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Ge Wafer (100) Sin dopar, 2" dia x 0,5 mm, resistividades: >50 ohm-cm, 2SP - GEUa50D05C2R50US

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Ge Wafer (100) Sin dopar, 4" dia x 0,5 mm, 2SP, R:>50 ohm-cm

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Ge Wafer (100) con plano (100) 4" dia x 0.5 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado) Resistividades: 0,1-0,5 ohm-cm - GESba100D05C1R01US

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Oblea de Ge (100) con plano mayor <110> 100mm dia x 0.5 mm, 1SP, tipo N (Sb dopado) R:0.1-0.5 ohm.cm - GESba100D05C1BeR01US5

MTI

Oblea de Ge (100)+/-1,5 grados, No dopada, 2 "x0,5 mm, 1SP, R>50 ohm-cm

MTI

Oblea de Ge (100)tipo N Sin dopar, 1" dia x 0,5 mm , 2SP,R:>50 ohm.cm - GEUa25D05C2R50

MTI

Ge Wafer (110) 4" dia x 0.5 mm,2SP, tipo N ( Sb dopado) R:0.1-0.5ohm.cm