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Orientación GaAs (100), 2 grados OFF hacia [101] +/- 0,5 grados, dopado con Te, tipo N, 2" dia x 0,485mm, 1sp, Prime Grade - GATea50D0485C1deg2US

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Orientación GaAs (100), 2 grados OFF hacia [101] +/- 0,5 grados, dopado con Te, tipo N, 2" dia x 0,5mm, 1sp, Prime Grade - GATea50D05C1deg2US

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Orientación GaAs (100), SI (semiaislante), sin dopar 5x5x 0,5mm, 1sp,

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GaAs (100), tipo N dopado con Te, 5 x 5 x 0,35 mm, 1SP

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GaAs (111)A orientación, Semi-Insulating, undoped, 10x10x 0.55mm, 1sp,

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GaAs (111)A orientación, Semi-Insulante, no dopado, 5x5x 0,5-0,55mm, 1sp,

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Orientación GaAs (111)B, Semiaislante, sin dopar, 10x10x 0,625mm, 1sp,

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GaAs (111)B orientación, Semi-Insulating, undoped, 5X5x 0.625mm, 1sp

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GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.5 mm, 1SP

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GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.5 mm, 2SP

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GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.6 mm, 1SP

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GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x3 x0.5 mm, 2SP

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GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x5 x0.5 mm, 2SP

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GaAs , Método de crecimiento: VGF(100) Si dopado, tipo N, 2" dia x 0.5mm, 2sp,Concentración portadora: (3.8-6.2) x 10^16 /cm^3

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GaAs ,Método de crecimiento: VGF (111)A , SI, no dopado, 4" dia x 0.55 mm, 1 sp

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GaAs ,Método de crecimiento: VGF (111)A , SI, no dopado, 4" dia x 0.55 mm, 2sp

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GaAs ,Método de crecimiento: VGF (111)B , SI, no dopado, 100mm dia x 0.625 mm, 1 sp

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GaAs ,Método de crecimiento: VGF (111)B , SI, no dopado, 4" dia x 0.625 mm, 2sp

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GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) dopado con Si, tipo N, 2" dia x 0.35mm, 1sp,cc: (1.65-3.92) x 10^18 /cm^3

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GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) dopado con Si, tipo N, 2" dia x 0.35mm, 2sp