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GaAs, Método de crecimiento: VGF(100) dopado con Si, tipo N, 4" dia x 0.625mm, 2sp, Concentración de portador: (1.47-3.78) x 10^18 /cm^3 - GASia100D06C2US5

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 10 x 5 x 0,3 mm, 2sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 10x10x0,3mm, 2sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 2" dia x 0.35mm, 1sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 5 x 5 x 0,3 mm, 2sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. no dopado, 10x10x0,5mm, 1sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. un-doped, Semi-Insulating, 20x20x0.5mm, 1sp

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GaAs, orientación VGF Grown (110), SI, sin dopar, 2" dia x 0.5mm, 1sp,

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GaAs, orientación VGF Grown (110), SI, sin dopar, 2" dia x 0.5mm, 2sp - GAUe50D05C2-US

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Polvo electrolítico para SOFC de cerio dopado con gadolinio (CGO), 500 g/paquete - EQ-SOFC-CGO

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GaN (0001) 10x10,5x0,35mm,1sp, Semiaislante

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GaN (0001) 10x10.5x0.35mm,2sp ,Semi-aislante

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GaN , tipo N , dopado con Si (0001) 10x10,5x0,35mm,2sp

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GaN ,tipo N ,dopado con Si (0001) 10x10,5x0,35mm,1sp- Cara Ga pulida

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GaN -Sustrato de cristal único (0001), 50,8 mm x 0,25 mm , tipo N+, 2SP

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GaN -Sustrato de cristal único (0001), 50,8 mm x 0,25 mm , tipo N+, 1SP

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GaN -Sustrato monocristalino (0001), tipo N, 10x10,5x0,27 mm , 1SP

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GaN -Sustrato de cristal único (0001), tipo N, 10x10x0,475 mm, 1SP - GaNC10100475S1NSUS5

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GaN -Sustrato monocristalino (0001), semiaislante, 10x10x0,475 mm, 1SP, calidad de producción - GaNC10100475S1SemiBUS5

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GaN -Sustrato monocristalino, tipo N, (0001), 10x10,5x0,3 mm , 2SP